温度对禁带宽度的影响
温度对禁带宽度的影响
1、温度对半导体材料禁带宽度的影响在温度为0 K 时,硅的禁带宽度为3.4V 左右;锗的禁带宽度为2.6V 左右。当温度升高到100K 时,这两种材料的禁带宽度都变窄了。随着温度继续上升,它们的禁带宽度反而减小了。这是因为,随着温度的增加,半导体中载流子的平均漂移速率增大,使得载流子的浓度下降,电离能力下降,所以禁带宽度就缩短了。2、温度对半导体材料禁带宽度的影响还与杂质有关。杂质越多,载流子浓度越低,则禁带宽度也越窄。